藍(lán)牙收發(fā)機(jī)中混頻器電路和鏡像抑制電路的分析與設(shè)計(jì).pdf

1、該文首先介紹了混頻器的一般工作原理及其主要參數(shù),并對(duì)幾種常見(jiàn)的CMOS混頻器的性能作了簡(jiǎn)單的討論.從轉(zhuǎn)換增益、噪聲和線性度方面,對(duì)CMOS開(kāi)關(guān)型有源混頻器的性能,進(jìn)行了詳細(xì)的分析與研究.其中,首次分析了開(kāi)關(guān)對(duì)共源節(jié)點(diǎn)處的寄生電容對(duì)開(kāi)關(guān)管輸出熱噪聲的影響,結(jié)果表明:在高頻、低偏置電流的情況下,開(kāi)關(guān)管輸出的熱噪聲與寄生電容、本振頻率成正比.這一結(jié)論完全不同于忽略寄生電容時(shí)的情況(與本振幅度和偏置電流成正比),仿真結(jié)果也驗(yàn)證了這一點(diǎn).對(duì)開(kāi)關(guān)管

2、閃爍噪聲的物理機(jī)制,利用軟開(kāi)關(guān)模式進(jìn)行了解釋,得到的結(jié)果與理論一致.利用一個(gè)簡(jiǎn)單模型,得出了寄生電容對(duì)線性度影響的解析表達(dá)式.針對(duì)藍(lán)牙無(wú)線收發(fā)機(jī)的應(yīng)用,簡(jiǎn)要說(shuō)明了其對(duì)上/下混頻器的性能指標(biāo)要求,并對(duì)射頻電路仿真中用到的高頻MOS管模型和片上集成電感模型進(jìn)行了描述.對(duì)已有的混頻器電路結(jié)構(gòu)作了改進(jìn),利用適于低電壓工作的負(fù)反饋與電流鏡技術(shù)提高上混頻器的線性度;通過(guò)采用折疊級(jí)聯(lián)輸出的方法降低了下混頻器的輸出噪聲,同時(shí)提高了其轉(zhuǎn)換增益.基于0.3