超結硅鍺功率開關二極管的研究.pdf

1、在對SiGe材料、SiGe/Si異質(zhì)結性質(zhì)以及超結結構特點、性質(zhì)等方面研究的基礎上，本文提出了超結和半超結SiGe功率開關二極管。相比傳統(tǒng)的Sipin功率二極管，這兩種器件能更好地滿足高頻化電力電子電路對功率二極管低通態(tài)壓降、高擊穿電壓、小反向漏電流以及快速軟恢復性能的要求。
　　 從SiGe材料以及SiGe/Si異質(zhì)結電流輸運機制出發(fā)，在理論上論證了SiGe/Si/Sipin二極管比傳統(tǒng)Sipin二極管更容易實現(xiàn)正向?qū)▔航岛?/p>

2、反向恢復時間之間的折中關系。SiGe/Si/Sipin功率二極管可以在提高器件開關速度的同時降低正向?qū)▔航担淙秉c是漏電流有所增加。建立了超結Si功率二極管結構，詳細分析了其擊穿機理。與相同厚度的常規(guī)Si功率二極管，超結Si功率二極管的反向耐壓大幅度增加，漏電流也顯著下降。但反向恢復特性變差，出現(xiàn)硬恢復現(xiàn)象。
　　 將SiGe材料與超結結構相結合，提出了超結SiGe功率二極管。該器件有兩個重要特點：一是由輕摻雜的p型柱和n型

3、柱相互交替形成超結結構，取代傳統(tǒng)功率二極管單一的n-基區(qū)；二是陽極p+區(qū)采用很薄的應變SiGe材料。該器件充分結合了SiGe材料在提高器件的開關速度、改善軟恢復特性以及降低正向?qū)▔航岛统Y結構在提高器件耐壓、降低漏電流等方面的優(yōu)勢。詳細分析了柱區(qū)寬度、厚度、摻雜濃度以及SiGe材料中Ge含量等重要參數(shù)對器件電學特性的影響規(guī)律。
　　 在超結結構的基礎上，提出了一種半超結SiGe功率二極管。半超結結構是在傳統(tǒng)超結結構的基礎上增加

4、了一個底端輔助層，在相同正向?qū)▔航档那闆r下，半超結比超結的深寬比小，這意味著可以減少外延生長和離子注入的工序，從而降低了工藝難度和成本，同時該結構還改善了二極管的軟恢復特性。通過改變超結部分和低端輔助層厚度、摻雜濃度、Ge含量等參數(shù)，可以對器件特性進行調(diào)節(jié)，為器件設計提供了更大的自由度。
　　 采用超真空化學氣相淀積方法在Si(100)襯底上生長出了35nm的SiGe薄膜，界面平整，陡峭，外延層的生長質(zhì)量較好。給出了p+(Si