基于溫度變化的量子阱紅外探測(cè)器探測(cè)峰值波長(zhǎng)的研究.pdf

1、隨著納米材料在半導(dǎo)體中的廣泛應(yīng)用以及力電光信號(hào)介觀轉(zhuǎn)換機(jī)理的發(fā)展，各種新型的超晶格量子阱器件被設(shè)計(jì)加工出來(lái)。這些納機(jī)電器件在先進(jìn)技術(shù)的支持下會(huì)體現(xiàn)出新的特征和性能。本論文以介觀壓阻效應(yīng)的基本理論思想為基礎(chǔ)，結(jié)合溫度變化對(duì)超晶格材料的影響，研究了不同溫度作用下GaAs/AlxGa1-xAs量子阱紅外探測(cè)器（QWIP）的吸收波長(zhǎng)以及光電流峰位所發(fā)生的變化。
　　本文詳細(xì)介紹了超晶格的結(jié)構(gòu)特征以及不同溫度對(duì)它的影響，并以此為基礎(chǔ)闡述了量

2、子阱紅外探測(cè)器的理論基礎(chǔ)和工作原理，分析了器件的光電特性。論文主要從溫度與勢(shì)阱、勢(shì)壘寬度和材料帶隙這兩個(gè)方面的關(guān)系分析了對(duì)器件性能的影響。
　　主要研究?jī)?nèi)容如下：
　?。?）對(duì)半導(dǎo)體材料應(yīng)變與溫度的關(guān)系進(jìn)行了推導(dǎo)，并利用GaAs、Al0.3Ga0.7As的參數(shù)計(jì)算了沿超晶格生長(zhǎng)方向隨溫度變化的關(guān)系式。
　?。?）利用GaAs和AlxGa1-xAs材料帶隙與溫度的關(guān)系式，推得勢(shì)壘高度隨溫度的變化關(guān)系式，進(jìn)而計(jì)算了三種躍遷