脈沖激光沉積法制備銅鋅錫硫(Cu2ZnSnS4)薄膜的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、銅鋅錫硫(Cu2ZnSnS4，CZTS)是一種直接帶隙半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為1.5eV的，可見(jiàn)光吸收系數(shù)高達(dá)104cm-1，理論轉(zhuǎn)換效率約為30％，是一種極具吸引力和應(yīng)用潛力的廉價(jià)薄膜太陽(yáng)能電池材料。本論文利用脈沖激光沉積技術(shù)在不同襯底溫度和脈沖激光能量下制備了CZTS薄膜，并通過(guò)X射線衍射、掃描電鏡和原子力顯微鏡等分析測(cè)試技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行了表征，進(jìn)而探討了各種沉積條件對(duì)CZTS薄膜質(zhì)量的影響，主要結(jié)果如下：
　　 1.襯底溫

2、度和脈沖激光能量對(duì)薄膜結(jié)晶狀態(tài)的影響為：在一定范圍內(nèi)，較高的襯底溫度和脈沖激光能量都有利于CZTS薄膜的結(jié)晶；當(dāng)襯底溫度為300℃～500℃及脈沖激光能量為130mJ～165mJ范圍內(nèi)，CZTS薄膜呈(112)面擇優(yōu)取向；當(dāng)襯底溫度為200℃～250℃及脈沖激光能量為180mJ～200mJ范圍內(nèi)，CZTS薄膜呈(220)面擇優(yōu)取向。
　　 2.工藝參數(shù)對(duì)薄膜晶粒尺寸和表面形貌的影響為：襯底溫度的升高和脈沖激光能量的增大都會(huì)使薄膜

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