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1、 本論文對(duì)高速雙層多晶硅自對(duì)準(zhǔn)BiCMOS制作工藝進(jìn)行了研究，開(kāi)發(fā)了一套完整的0.5μm高速雙層多晶硅自對(duì)準(zhǔn)BiCMOS制作工藝，獲得的主要結(jié)果有： 在BiCMOS工藝中采用了深溝隔離(DTI)技術(shù)。采用了現(xiàn)在國(guó)際上通用的SiO2/Si3N4/SiO2三層結(jié)構(gòu)作為阻擋層，用Cl2/BCl3/SF6混合氣體主刻，在Si襯底上刻蝕出了寬為1.8μm，深為4.5μm的深溝，深溝形狀較好，并通過(guò)CVD本征多晶硅對(duì)構(gòu)槽進(jìn)行了填充。最
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