ZnO和SnO-,2-納米結構的制備表征及應用研究.pdf

1、納米材料因其具有體相材料所不具備的新奇的物理與化學性質(zhì)引起了人們廣泛的關注和研究。而其中納米金屬氧化物材料更是因其特殊的理化性能成為了廣泛使用的功能材料,如在微電子器件、催化劑、能量儲存與轉(zhuǎn)化等眾多領域有著非常廣泛的應用。氧化鋅(ZnO)和氧化錫(SnO2)都是典型的n型寬禁帶半導體氧化物,其室溫禁帶寬度分別為3.37 eV和3.65 eV。納米氧化鋅和氧化錫具有優(yōu)異的光電性能以及高靈敏的氣敏特性,一直被認為是金屬氧化物中最有應用前景的

2、兩種功能材料,近年來,科研人員對各種形貌與結構的ZnO和SnO2納米材料的合成、表征以及它們在納米器件領域中的應用進行了深入研究。鑒于它們在未來功能器件中的重要性,本人在碩士期間也對.ZnO和SnO2這兩種金屬氧化物的各種結構及性能進行了研究。
　　 本論文利用水熱法成功合成了ZnO納米棒、ZnO納米花及SnO2納米空心球。并且利用掃描電鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)分析了ZnO納米棒、ZnO納米花的結構形貌,分析了ZnO

3、納米棒陣列的生長機理,利用掃描近場光學顯微鏡采用波長為448nm的氬離子激光器為激發(fā)源在室溫下對ZnO納米棒陣列進行了Raman光譜測試,納米棒陣列室溫下的拉曼光譜表現(xiàn)出純的ZnO的拉曼特征峰,對牡丹花狀ZnO納米花和蓮花狀ZnO納米花進行了光致發(fā)光(PL)測試,比較發(fā)光譜得知牡丹花狀ZnO納米花中的缺陷密度低于蓮花狀ZnO納米花。重點對SnO2空心納米球進行EDS、XRD、SEM、TEM等表征,并且將已制備好的SnO2空心球均勻分散到