減小MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的極間電容優(yōu)化仿真研究.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著電力電子技術(shù)進(jìn)一步向高頻的大功率用電領(lǐng)域發(fā)展，功率MOSFET在各種電力半導(dǎo)體器件中的重要地位日益顯著，使用功率MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件的功率轉(zhuǎn)換電路也日益增多，但隨著器件開(kāi)關(guān)頻率的提高(大于200KHZ)，由器件極間電容引起的能量損耗將會(huì)影響到功率轉(zhuǎn)換電路的能量傳輸效率，特別是在以MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件的高頻感應(yīng)加熱電源中(工作頻率可達(dá)兆赫)，MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗嚴(yán)重影響到電源的效率，因此如何減小開(kāi)關(guān)器件的損耗提高

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