

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、氧化鋅(ZnO)和二氧化鈦(TiO2)都是典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料是具有多種優(yōu)異性能的納米材料,具有著廣闊的應(yīng)用前景。近些年來(lái),隨著納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,納米材料的研究一直是人們研究的重點(diǎn),尤其是它的應(yīng)用研究。研究ZnO、TiO2的可控制備以及對(duì)它們的性能進(jìn)行表征具有非常重要的科學(xué)意義。本文主要有兩個(gè)部分,具體內(nèi)容如下:
一、在低溫條件下通過(guò)水熱合成法反應(yīng)5小時(shí),以FTO導(dǎo)電玻璃作為襯底,制備良好取向的氧化鋅(Z
2、nO)納米棒陣列。詳細(xì)的研究制備過(guò)程中氨水的含量對(duì)ZnO納米棒生長(zhǎng)長(zhǎng)度的影響。最后通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、紫外可見(jiàn)吸收光譜(UV-visible absorption spectra)等表征方法對(duì)制備的樣品進(jìn)行表征與分析。結(jié)果表明,隨著氨水含量的增加,ZnO納米棒的生長(zhǎng)長(zhǎng)度也增加了。
二、通過(guò)簡(jiǎn)單的溶膠-凝膠法和溶劑熱后處理反應(yīng),以價(jià)格低廉、相對(duì)環(huán)保的正己胺作結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑合成尺寸分布均勻、孔徑18.9
3、nm、比表面積為89.76m2g-1的銳鈦礦相二氧化鈦(TiO2)介孔球。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn),在反應(yīng)合成過(guò)程中水的含量(水與鈦源的摩爾比)對(duì)得到的二氧化鈦介孔球的形態(tài)有著顯著的影響。同時(shí)TiO2介孔球的表面粗糙程度和直徑大小也受反應(yīng)時(shí)間的影響:相應(yīng)的延長(zhǎng)反應(yīng)的時(shí)間,會(huì)使形成的介孔球表面變得越來(lái)越光滑,直徑也會(huì)逐漸增加。利用反應(yīng)獲得的TiO2介孔球材料作為染料敏化太陽(yáng)能電池的光陽(yáng)極材料,得到的敏化太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率達(dá)到了5.56%,與相同條
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- ZnO基寬禁帶稀磁半導(dǎo)體材料的制備及性能研究.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體薄膜材料的制備與研究.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體材料與工藝
- 寬禁帶半導(dǎo)體材料與工藝
- 寬禁帶納米半導(dǎo)體材料制備及其光學(xué)性能研究.pdf
- TiO2基復(fù)合半導(dǎo)體納米材料的制備及光譜特性研究.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體薄膜制備及其發(fā)光性能研究.pdf
- 紫外光敏寬禁帶半導(dǎo)體材料的設(shè)計(jì)與制備.pdf
- 半導(dǎo)體納米材料TiO2、ZnO的改性及其性能的研究.pdf
- 低維半導(dǎo)體納米材料(ZnO、TiO2)的合成與研究.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體SiC、ZnO紫外光電器件的研究.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體SiC和ZnO的外延生長(zhǎng)及其摻雜的研究.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體ZnO、GaN及其相關(guān)材料的微結(jié)構(gòu)調(diào)控與性能研究.pdf
- 寬禁帶功率半導(dǎo)體器件損耗研究.pdf
- TiO2基稀磁半導(dǎo)體的制備及性能研究.pdf
- 39438.寬禁帶半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)研究
- 寬禁帶半導(dǎo)體SiC和ZnO紫外探測(cè)器的研究與分析.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅器件的研究.pdf
- ZnO、ZnS半導(dǎo)體納米材料的制備及發(fā)光特性研究.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體材料研究與應(yīng)用團(tuán)隊(duì)主要先進(jìn)事跡
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論