壓力對MOSFET跨導調制的研究.pdf

1、MOSFET器件具有穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大等優(yōu)點，所以很早就引起了人們的關注。早在上個世紀60年代研究人員就開始對MOSFET的內部結構和工作原理做了相應的分析?？鐚ё鳛镸OSFET的一個重要參數(shù)描述的是柵電壓對源漏極電流的控制能力，被廣泛應用在電路的放大器中，不少人對小尺寸晶體管，窄溝道MOSFET進行了廣泛的研究，但是對壓力作用下MOSFET跨導變化的研究還有待深入。
　　本文從半導體異質結材料和電子遷移率出發(fā)，對在壓力作用下

2、Ⅲ-Ⅴ族化合物所組成半導體材料的雜質散射和跨導特性做了詳細的理論研究和分析計算。
　　首先根據(jù)理想MOSFET的結構對其做了定性描述給出了場效應管的能帶結構圖、有效質量、有效遷移率、定量公式及柵壓關系，給出了半導體靜電特性的定量描述。進一步研究了MOSFET的工作機理和導電溝道形成過程。
　　其次根據(jù)分子束外延沿（001）方向建立MOSFET模型，對異質結中導電溝道的二維電子氣（2DEG）的雜質散射率進行了分析。主要包括對在

3、壓力作用時的勢壘高度、有效質量、有效遷移率的變化趨勢進行分析為后面的跨導隨壓力的關系曲線提供了理論基礎。
　　最后采用Ⅲ-Ⅴ族化合物AlGaAs/GaAs異質結體系，利用matlab和origin等制圖軟件討論了在不同壓力下跨導隨力學的曲線關系，仿真了2DEG中的電離雜質散射，面密度，基態(tài)電子動能隨AlGaAs隔離層厚度L的變化關系。得到了跨導隨壓力穩(wěn)定變化的關系值，為在器件設計上提供相應的參考。
　　綜上所述，本論文通過對