RF-PECVD法制備碳納米管的工藝研究.pdf

1、碳納米管具有極其獨特的力學、熱學和電學性能，自其1991年被Lijima發(fā)現(xiàn)以來，受到廣泛關注。近年來，由于碳納米管具有優(yōu)異的場發(fā)射性能，期望將碳納米管的巨大潛力應用在場效應晶體管、場發(fā)射顯示器、單電子晶體管等納米電子器件以及集成電路中作為互連線等方面。但要想制備這些電子器件，碳納米管的合成溫度必須低于基板材料所能承受的溫度。例如，碳納米管作為場致電子發(fā)射源，應用于冷陰極平面顯示器上，那么納米碳管的合成溫度應低于顯示器玻璃的轉變溫度55

2、0℃。但是，目前CNTs的生長溫度一般都在800～1000℃，遠高于集成電路中常用金屬Cu的熔點和顯示器玻璃的轉變溫度。所以即便在這種高溫條件下原位制備出了單個的CNTs納電子器件，也很難實現(xiàn)與傳統(tǒng)微電子工藝的高度兼容。等離子體增強化學氣相沉積法在低溫合成納米碳管方面具有很大的優(yōu)勢。本文研究了碳納米管的生長和結構特性，主要研究內容包括：
　　 ⑴利用磁控濺射法在Si襯底上制備Ni薄膜，然后再在制得的Ni膜上用PECVD法制備碳納

3、米管薄膜。研究了襯底溫度對薄膜性能的影響，采用SEM和Raman對薄膜進行了分析。
　　 ⑵利用離子束濺射法在Si襯底上制備Fe薄膜，然后再在制得的Fe膜上用PECVD法制備碳納米管薄膜。研究了襯底溫度及射頻功率對薄膜性能的影響，分析了樣品的SEM、HRTEM、Raman等測試圖。
　　 ⑶利用磁控濺射法在Cu襯底上制備Ni薄膜，然后再在制得的Ni膜上，在特定的反應條件下，用PECVD法制備碳納米管薄膜。采用SEM和Ra