氮化鎵MOCVD化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)分析及其數(shù)值模擬研究.pdf

1、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)是制備GaN薄膜器件包括發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器的關(guān)鍵工藝。在高溫生長(zhǎng)條件下，作為反應(yīng)前體的Ga(CH3)3和NH3發(fā)生復(fù)雜的氣相反應(yīng)，極易形成納米粒子。這些納米粒子或者凝結(jié)在冷壁面處，或者沉積在薄膜上，不僅造成反應(yīng)前體的損耗，而且嚴(yán)重影響薄膜質(zhì)量。充分了解GaN生長(zhǎng)過(guò)程中的氣相反應(yīng)路徑，對(duì)于實(shí)現(xiàn)反應(yīng)器的設(shè)計(jì)優(yōu)化、生長(zhǎng)出高質(zhì)量的薄膜，均具有重要意義。
　　 本論文圍繞GaN生長(zhǎng)過(guò)程中的氣相反應(yīng)路

2、徑，特別是反應(yīng)器幾何參數(shù)對(duì)反應(yīng)路徑的影響，開(kāi)展了系統(tǒng)的研究。首先，在總結(jié)前人工作的基礎(chǔ)上，提出不同的氣體混合方式和加熱方式將引發(fā)不同的反應(yīng)路徑。其次，利用結(jié)合反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的CFD方法，對(duì)幾種典型MOCVD反應(yīng)器的流場(chǎng)、溫場(chǎng)、反應(yīng)前體濃度場(chǎng)進(jìn)行數(shù)值模擬。通過(guò)分析對(duì)比襯底上方不同反應(yīng)前體濃度的強(qiáng)弱，來(lái)確定反應(yīng)路徑。最后，分析了反應(yīng)器操作參數(shù)和熱泳力對(duì)反應(yīng)前體濃度、生長(zhǎng)速率以及化學(xué)反應(yīng)路徑的影響。
　　 論文的具體研究?jī)?nèi)容如下：

3、　　 1.目前對(duì)GaN生長(zhǎng)的化學(xué)反應(yīng)路徑存在幾種不同的模型和爭(zhēng)議。通過(guò)對(duì)前人的實(shí)驗(yàn)條件進(jìn)行詳細(xì)的分析總結(jié)，指出盡管不同的研究人員使用了類似的壓力和溫度條件(MOCVD的典型生長(zhǎng)條件)，但是Ga(CH3)3/NH3進(jìn)氣的混合方式以及加熱方式均不相同，導(dǎo)致不同的結(jié)果。這些因素提供了解決爭(zhēng)議的線索。在此基礎(chǔ)上，作者提出新的GaN生長(zhǎng)反應(yīng)路徑：如果是常溫下完全混合，并逐漸加熱，Ga(CH3)3在變?yōu)榧雍衔锖髮l(fā)生可逆分解，生成的Ga(CH3)

4、3在進(jìn)一步加熱時(shí)，分解為GaCH3(路徑1)；如果是中溫條件下(200～500℃)的不完全混合，在低溫壁面處則發(fā)生不可逆分解反應(yīng)，形成氨基物Ga(CH3)2NH2以及氨基物的衍生物，并釋放出CH4(路徑2)；如果是高溫條件下(＞500℃)的不完全混合，并迅速加熱，Ga(CH3)3的直接熱解路徑將占主導(dǎo)地位(路徑3)。
　　 2.采用FLUENT軟件，對(duì)典型的MOCVD反應(yīng)器進(jìn)行包括反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的溫場(chǎng)、流場(chǎng)、濃度場(chǎng)的數(shù)值模擬。通過(guò)對(duì)

5、比生成物粒子在襯底處的濃度大小，發(fā)現(xiàn)不同的反應(yīng)器存在不同的反應(yīng)路徑：腔體較高的高速轉(zhuǎn)盤式反應(yīng)器(RDR)遵循路徑1；預(yù)混合進(jìn)口水平式反應(yīng)器同時(shí)存在兩條路徑，在高溫襯底區(qū)域遵循路徑1，在上壁面的低溫區(qū)域遵循路徑2；垂直噴淋式反應(yīng)器(CCS)則遵循路徑3。
　　 3.針對(duì)水平式和垂直式MOCVD反應(yīng)器中熱泳力對(duì)TMGa等反應(yīng)前體濃度的影響分別進(jìn)行理論和數(shù)值模擬。從分子動(dòng)力學(xué)理論出發(fā)，推導(dǎo)出水平式MOCVD反應(yīng)器中熱泳力和熱泳速度與溫

6、度、溫度梯度、壓強(qiáng)、粒子直徑的關(guān)系式，以及熱泳速度與擴(kuò)散速度平衡時(shí)的關(guān)系式。在典型的MOCVD生長(zhǎng)GaN的條件下，計(jì)算得出熱泳速度與擴(kuò)散速度在同一數(shù)量級(jí)，但方向相反，約為10-2～10-1m/s。水平式反應(yīng)器在溫度T=521K時(shí)，熱泳速度與擴(kuò)散速度平衡；垂直式反應(yīng)器由于粘性力的作用，在T=605K時(shí)，熱泳速度與擴(kuò)散速度及粘性速度達(dá)到平衡。模擬結(jié)果顯示，增大上壁溫度，溫度梯度減小，反應(yīng)粒子受到的熱泳力隨之減小，沉積速率提高，但沉積一致性變

7、差；減小上壁溫度，溫度梯度增大，熱泳力對(duì)粒子的排斥增大，反應(yīng)室下游的可用粒子增多，有利于薄膜沉積的一致性。
　　 4.針對(duì)同種類型的反應(yīng)器中，不同的操作參數(shù)和幾何參數(shù)對(duì)反應(yīng)路徑的影響進(jìn)行分析研究。通過(guò)改變反應(yīng)器的操作參數(shù)(如進(jìn)口流量、壓強(qiáng))、幾何尺寸(如高度、反應(yīng)器直徑)，進(jìn)行包括反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的溫場(chǎng)、流場(chǎng)、濃度場(chǎng)的數(shù)值模擬，分析操作參數(shù)及幾何參數(shù)對(duì)化學(xué)反應(yīng)路徑的影響，并與文獻(xiàn)中的實(shí)驗(yàn)值做對(duì)比分析。研究發(fā)現(xiàn)，對(duì)于三種類型的反應(yīng)器，均