硅基MOS器件的電離輻照效應分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路在輻射環(huán)境下的應用越來越廣泛，研究半導體器件和電路電離輻射效應的損傷機理，提高其抗輻照水平成為近年來國內外微電子學領域的重要課題。硅基器件作為集成電路的基礎，其抗輻照能力成為研究的重點。
　　 本文首先介紹了主要的電離輻照效應——總劑量效應，分析了MOS器件總劑量效應產生的機理和造成的損傷。閾值電壓漂移是電離輻照總劑量效應對MOS器件產生的主要損傷。通過數(shù)值推導，建立MOS器件電離輻照效應閾值電壓漂移量與輻照總劑量之

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