影響顆粒膜巨磁電阻的若干因素.pdf

1、Baibich等在Fe/Cr金屬多層膜中發(fā)現(xiàn)磁電阻效應(yīng),且其值可達(dá)60％,故稱(chēng)其為巨磁電阻(GMR).其豐富多彩的基礎(chǔ)研究?jī)?nèi)涵和在磁記錄介質(zhì)和傳感器等領(lǐng)域?qū)拸V的應(yīng)用前景成為近年來(lái)薄膜研究的熱點(diǎn)之一.特別是繼金屬多層膜之后的金屬磁性顆粒膜,由于制備工藝簡(jiǎn)便,巨磁電阻效應(yīng)在信息存儲(chǔ)技術(shù)中有巨大應(yīng)用前景,引起了人們極大的興趣.
　　由于磁性顆粒的尺寸小,一般的外場(chǎng)都看作強(qiáng)場(chǎng),非線性響應(yīng)下的電導(dǎo)率公式變得十分重要.本文首先將非線性響應(yīng)的K

2、ubo公式應(yīng)用于顆粒膜巨磁電阻計(jì)算,討論了偏壓和溫度對(duì)巨磁電阻的影響.計(jì)算結(jié)果說(shuō)明偏壓增加時(shí)巨磁電阻增大,加負(fù)壓時(shí)巨磁電阻減小.與偏壓的影響相比,溫度的改變所引起的巨磁電阻的變化相對(duì)較小,只有在溫度變化較大時(shí)才有顯著的影響.U為正時(shí),溫度下降導(dǎo)致巨磁電阻減小;U為負(fù)時(shí),溫度下降導(dǎo)致巨磁電阻增加.對(duì)于上述兩種情況，巨磁電阻增加和減小的部分基本上與溫度成比例,不隨界面處自旋向下的電子的平均自由程的增加而發(fā)生改變.
　　本文同時(shí)又通過(guò)修

3、正的有效媒質(zhì)理論（EMT),計(jì)算了退磁因子和外磁場(chǎng)對(duì)GMR的影響.計(jì)算結(jié)果表明顆粒膜中,單疇鐵磁性顆粒的自旋相關(guān)散射對(duì)GMR貢獻(xiàn)起主要的作用.在此基礎(chǔ)上分別研究了顆粒膜GMR與結(jié)構(gòu)因子顆粒分布退磁因子以及外磁場(chǎng)的關(guān)系,得到結(jié)論,顆粒膜的GMR隨著退磁因子的增加單調(diào)增加,說(shuō)明顆粒膜的GMR效應(yīng)介于多層膜GMR效應(yīng)CIP(電流平行于膜面)和CPP(電流垂直于膜面)之間;顆粒膜的電導(dǎo)率隨顆粒尺寸的增加而增加;有外磁場(chǎng)時(shí),顆粒膜的巨磁電阻隨外磁