碳納米管與金屬氧化物的復合及其NO的氣敏性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文采用直流復合電沉積技術(shù)實現(xiàn)了常溫下銅(氧化銅)與碳納米管、鎳(氧化鎳)與碳納米管的復合，制備了銅(氧化銅)/單壁碳納米管和鎳(氧化鎳)/單壁碳納米管復合材料。采用UV-vis-NIR、Raman、SEM、TEM等表征方法對上述復合材料進行了表征。
　　 Raman、SEM、TEM研究表明：在電沉積過程中，陰極得到的大部分金屬(金屬氧化物)/半導體型碳納米管復合物；電解液中得到的大部分是金屬(金屬氧化物)/金屬型碳納米管復合

2、物。本實驗?zāi)軌蛟谝欢ǔ潭壬蠈崿F(xiàn)了金屬型和半導體型碳納米管的分離。
　　 研究表明，金屬及其氧化物是以兩種方式與碳納米管結(jié)合的：第一種方式為金屬及其氧化物粒子被包裹在碳納米管管束之間；第二種方式為金屬及其氧化物粒子均勻分布在碳納米管管束的外側(cè)。
　　 實驗中還嘗試使用多壁碳納米管、功能化的碳納米管進行直流電沉積。接著，又將上述所有復合物材料進行了NO氣氛下的氣敏性能測試，研究發(fā)現(xiàn)金屬氧化物/半導體型碳納米管復合物所制成的氣

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