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文檔簡介
1、該文首先在引言部分對壓電薄膜材料的應用前景、制備方法和目前的研究現(xiàn)狀進行了評述,基于此,提出了該文的選題依據(jù),即研究壓電薄膜材料中的殘余應力是基于"壓電薄膜的重要應用背景和殘余應力對壓電薄膜性能的可能影響".我們選擇鋯鈦酸鉛Pb(Zr<,1-x>Ti<,x>)O<,3>(PZT)薄膜作為我們的研究對象.首先我們制備出了這種薄膜,從制備大塊的鋯鈦酸鉛Pb(Zr<,1-x>Ti<,x>)O<,3>(PZT)壓電陶瓷靶材入手,借助于X射線衍射
2、儀得到了制備出性能比較好的靶材的工藝條件,也詳細地介紹了用脈沖激光沉積法(PLD)和金屬有機源分解法(MOD)制備PZT薄膜的實驗方法,基底材料的選擇和電極的制作等有關技術問題.其次我們借助于X射線衍射儀和掃描電鏡對制備的PZT薄膜的微觀結構進行了細致的分析,而且對各種工藝參數(shù)對PZT薄膜結構的影響進行了討論,不僅如此,我們還對PZT薄膜的鐵電性能進行了測量和它與制備工藝的關系進行了分析和討論.該文的重點是PZT薄膜的殘余應力的測量和它
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