MEMS用硅基永磁薄膜陣列設(shè)計(jì)與制備研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、該文利用磁場(chǎng)解析計(jì)算方法研究了永磁薄膜陣列的磁場(chǎng)分布,理論上計(jì)算了薄膜陣列單元的尺寸和間距對(duì)永磁薄膜陣列工作點(diǎn)的影響規(guī)律,計(jì)算了周?chē)嚵袉卧獙?duì)中心單元工作點(diǎn)的影響.在此基礎(chǔ)上,按照永磁薄膜陣列的"有效磁化強(qiáng)度"磁性能優(yōu)化指標(biāo),求出了一個(gè)較理想的永磁薄膜陣列設(shè)計(jì)方案:對(duì)10微米厚的永磁薄膜,陣列單元為40μm×40μm,間距為10μm.該文利用有限元分析方法初步研究了各向異性永磁薄膜陣列的磁性能,得到了關(guān)于永磁薄膜陣列的磁化特征,驗(yàn)證了解

2、析計(jì)算采用的均勻磁化假設(shè)的合理性,同時(shí)分析了磁場(chǎng)中永磁薄膜受到的磁力與薄膜厚度的變化關(guān)系.該文采用薄膜微型化、陣列化技術(shù),克服了電鍍永磁薄膜附著性能差和垂直方向退磁化場(chǎng)高的缺點(diǎn).基于這一技術(shù),采用改進(jìn)的低溫電鍍工藝在實(shí)驗(yàn)室獲得厚度大于10μm的CoNiMnP永磁薄膜陣列,其表面光潔平整,膜基附著性能良好,具有顯著垂直磁各向異性.垂直方向:Hc=59.7KA/m,Br=0.53T,(BH)max=11.3KJ/m3.水平方向:Hc=27.

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