基于局部基片集成人工介質(zhì)(L-SIAD)的微波諧振腔研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代無線通信技術(shù)的飛速發(fā)展，微波電子器件日益趨向于小型化、輕量化和低成本，從而推動了全球范圍內(nèi)對新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料的研究熱潮。微帶線作為單片微波集成電路中信號傳輸?shù)闹饕d體，受到研究人員的廣泛關(guān)注。局部基片集成人工介質(zhì)(L-SIAD)結(jié)構(gòu)中接地金屬通孔的存在，使得微帶線的分布電容增大，導致微帶電路的特性阻抗減小、有效介電常數(shù)增加，進而減小微帶線的寬度、縮短導波波長，有效地減小電路的尺寸。在低頻小規(guī)模微帶電路中，電路的損耗可忽略不

2、計。但是隨著頻率的升高和電路規(guī)模的增大，電路中的總損耗會越來越大，進而對電路性能產(chǎn)生不可忽視的影響。
　　 本文首先介紹了微帶線、局部基片集成人工介質(zhì)(L-SIAD)的基本結(jié)構(gòu)與特性，重點闡述了微帶線中介質(zhì)損耗、導體損耗的產(chǎn)生機理，推導了這兩種損耗的計算公式。
　　 然后，文章提出了計算L-SIAD微帶結(jié)構(gòu)介質(zhì)損耗和導體損耗的方法，并分別驗證了兩種方法的正確性，進而通過軟件仿真，計算得到了L-SIAD結(jié)構(gòu)介質(zhì)損耗和導體損