氦誘生微孔對硅中低濃度雜質吸除的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半導體工藝中無意引入的金屬雜質的污染會極大損害器件性能,為了將金屬雜質從器件的有源區(qū)吸除,吸雜技術被廣泛的研究,器件尺寸的不斷縮小和新的金屬化工藝的不斷出現更需要能在低溫有效吸除的技術.近年來一種新的吸雜技術-氦微孔吸雜技術因其對金屬雜質顯著的吸除效果而備受關注.這種方法是通過高劑量的氦離子注入硅中并低溫熱處理形成微孔對雜質進行吸除.已有實驗結果表明,微孔吸雜的效果優(yōu)于磷吸雜或背面損傷吸雜作用.而過去的工作多集中在從基礎研究的角度研究氦

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