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1、本論文研究硅基超導(dǎo)氮化鈦鈮（NbTiN）薄膜的制備技術(shù)。針對(duì)NbTiN與硅基片晶格失配度較高導(dǎo)致超導(dǎo)性能的下降的難題，主要開(kāi)展兩方面的工作：一、研究采用在單晶硅片上低溫條件下快速生長(zhǎng)250nm厚磷摻雜 SiO2（PSG）薄膜作為硅與超導(dǎo)薄膜的過(guò)渡層；二、采用共濺射技術(shù)在PSG/Si基片上生長(zhǎng)出高質(zhì)量的NbTiN超薄超導(dǎo)薄膜。結(jié)果表明：在6小時(shí)較短時(shí)間在單晶硅片生長(zhǎng)250nm厚度的PSG薄膜，且 PSG薄膜的相結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能和常規(guī)熱氧化生
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