ZnO基紫外材料的制備及光電特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近幾年，ZnO基半導體材料作為紫外光電子應用方面有前途的候選材料而成為光電子領域研究的熱點。要獲得高性能光發(fā)射器件，必須制備高質量的ZnO薄膜。本論文采用直流反應磁控濺射的方法，通過改變氬氧比、襯底溫度和退火溫度等方法，得到：在電壓為400V、電流為450mA、工作壓強為2.0Pa、襯底溫度為250℃及退火溫度900℃為最佳工藝參數。并通過X射線衍射法(XRD)、掃描電鏡(SEM)對樣品的結構、形貌特性進行了測試，利用光致發(fā)光、四探針法

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