深亞微米快速處理工藝及對(duì)其溫度監(jiān)控的研究.pdf

1、快速熱處理工藝在未來半導(dǎo)體工藝中的重要性已是勿庸置疑的。本文闡述了快速熱處理工藝的技術(shù)發(fā)展，RTP設(shè)備的溫度測(cè)量及控制原理及其在大規(guī)模集成電路制造中的主要應(yīng)用。在闡述原理的基礎(chǔ)上，通過ASMC實(shí)際制造工藝流程中三方面的應(yīng)用的研究：離子注入后退火，鈦硅化物的形成，及快速熱氧化，藉此尋找出適用于作為RTP日常設(shè)備監(jiān)控的工藝條件。 快速熱退火工藝可消除離子注入引起的晶格損傷，并激活注入的雜質(zhì)。不同的RTP溫度使得注入雜質(zhì)被激活的程度不

2、同，從而造成方塊電阻值的不同。對(duì)不同注入條件的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明雜質(zhì)離子被部分激活時(shí)對(duì)溫度變化最敏感。根據(jù)TiSi2低電阻率的特點(diǎn)，常采用通過低溫固相反應(yīng)形成TiSi：制作硅化物歐姆接觸和肖特基二極管?；谠诓煌瑴囟认陆饘賜與Si反應(yīng)的生成物的不同，通過測(cè)量其硅化物的方塊電阻及用XPS法對(duì)反應(yīng)組分的分析，發(fā)現(xiàn)在形成穩(wěn)定的C49和C54nSi2反應(yīng)過程中對(duì)溫度變化有很高的敏感度。另外，本文還對(duì)快速熱氧化作了討論，更長(zhǎng)的氧化時(shí)間對(duì)溫度變化更敏感。