RE-Cu-V(RE=Er，Dy)三元系合金相圖773K等溫截面及熱電材料CoSi和CrSi-,2-晶格熱膨脹的研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文利用X射線粉末衍射技術(shù)、金相分析、差熱分析和電子顯微鏡能譜分析等技術(shù)和方法分別研究測(cè)定了Er-Cu-V和Dy-Cu-V三元系合金相圖773K等溫截面。結(jié)果表明，Er-Cu-V三元系合金相圖773K等溫截面存在8個(gè)單相區(qū)、13個(gè)兩相區(qū)和6個(gè)三相區(qū)，證實(shí)了二元化合物ErCu5、ErCu2、ErCu、Er2Cu9和Er2Cu7的存在。Dy-Cu-V三元系合金相圖773K等溫截面也存在8個(gè)單相區(qū)、13個(gè)兩相區(qū)和6個(gè)三相區(qū)，證實(shí)了二元化合物D

2、yCu5、DyCu2、DyCu和Dy2Cu9的存在。沒(méi)有發(fā)現(xiàn)這兩個(gè)體系中存在三元化合物。沒(méi)有觀察到V在Er-Cu和Dy-Cu二元化合物中的固溶度。
　　 利用動(dòng)態(tài)高溫粉末X射線衍射技術(shù)對(duì)熱電材料CoSi和CrSi2在室溫至973K溫度范圍內(nèi)的晶格熱膨脹性質(zhì)進(jìn)行了研究，測(cè)定了這兩個(gè)化合物的晶格熱膨脹系數(shù)。化合物CoSi的晶格熱膨脹系數(shù)和晶胞體熱膨脹系數(shù)分別為：aα=1.14×10-5K-1和av=3.42×10-5K-1。化合物C

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