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文檔簡介
1、金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）,是一種可制備各種高質(zhì)量薄膜和外延薄層的技術.該文采用低壓MOCVD技術,四異丙醇鈦為MO源,于500℃下在n型（111）和（100）Si襯底上沉積生長了TiO<,2>薄膜.利用原子力顯微鏡研究TiO<,2>薄膜的生長機理,發(fā)現(xiàn)500℃下銳鈦礦薄膜的沉積生長過程,屬于均勻成核,島狀生長模式.對沉積TiO<,2>薄膜進行了退火熱處理.并研究退火溫度、時間、退火氣氛對薄膜結(jié)構、形貌和電性能的影響.根據(jù)C-V
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