NEA GaN紫外光電陰極表面勢(shì)壘對(duì)光電發(fā)射性能影響的研究.pdf

1、GaN光電陰極是紫外真空探測(cè)器和真空電子源的核心部件,在國(guó)防和工業(yè)上有著廣泛的應(yīng)用,受到各國(guó)科學(xué)家的極大重視。為了改善GaN光電陰極的光電發(fā)射性能,本文主要開展了以下研究:
　　 應(yīng)用Boltzmann分布和基于Airy函數(shù)的傳遞矩陣法,計(jì)算了GaN光電陰極的電子逸出幾率。發(fā)現(xiàn)電子逸出幾率主要由Ⅰ勢(shì)壘決定,Ⅱ勢(shì)壘對(duì)電子逸出幾率的影響有限。理論計(jì)算結(jié)果與激活光電流測(cè)試結(jié)果一致,其原因是Cs單獨(dú)激活對(duì)降低真空能級(jí)的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)大于Cs/O

2、共同激活。
　　 在考慮谷間散射的情況下,利用Boltzmann分布和基于Airy函數(shù)的傳遞矩陣法,計(jì)算了反射式GaN光電陰極的發(fā)射電子能量分布。分析了表面勢(shì)壘變化對(duì)量子效率衰減的影響,理論與實(shí)驗(yàn)符合較好。激活層有效偶極子數(shù)的減少使表面勢(shì)壘寬度和高度增加,引起長(zhǎng)波光子激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射電子能量分布衰減較大,短波光子激發(fā)產(chǎn)生的發(fā)射電子能量分布衰減較小,這是反射式量子效率在長(zhǎng)波段衰減較大,短波段衰減較小的根本原因。
　　 對(duì)反射