銅酞菁的溶解及納米銅酞菁薄膜的制備.pdf

1、通過增加銅酞菁（CuPc）溶液中三氟乙酸（TFA）的濃度，使銅酞菁相繼發(fā)生一次質子化反應和二次質子化反應，分別得到了[CuPc·H]+和[CuPc·H2]2+兩種衍生物，并用紫外可見分光光度計進行表征。[CuPc·H]+和[CuPc·H2]2+兩種衍生物的Q 帶相繼發(fā)生紅移并且發(fā)生裂分，表明兩種衍生物具有不對稱結構。銅酞菁的質子化反應是可逆反應，因此質子化反應的進行對質子酸的濃度有一定的要求，使用溶劑的堿度越大，使銅酞菁發(fā)生質子化反應所

2、需的質子酸的濃度也越大。 銅酞菁發(fā)生質子化反應后在有機溶劑中的溶解度增大了60倍，放置兩周后不會發(fā)生降解。以發(fā)生質子化反應的銅酞菁溶液為電解液，ITO 導電玻璃片和鉑片分別作為陰極和陽極，用電沉積方法在ITO 導電玻璃上制備納米銅酞菁薄膜，通過改變電沉積時使用的電壓、電沉積時間、溶液溫度以及溶液濃度制備了具有不同結構和尺寸的納米銅酞菁薄膜，并用掃描電鏡（SEM）、紫外可見分光光度計以及X 射線衍射（XRD） 進行表征。電

3、沉積時使用的電壓越大、電沉積時間越長、溶液濃度越大制備的納米銅酞菁薄膜的紫外吸收越強。電沉積時使用的溶液的溫度越大，制備的納米銅酞菁薄膜的紫外吸收越弱。在未經(jīng)處理的ITO基片上制備的納米CuPc 薄膜，取向良好，納米銅酞菁薄膜的衍射吸收峰2θ是6.819°，對應的晶面間距D為12.95 0A，具有α相晶體結構，分子的堆積方向（b 軸）平行于基片。當ITO基片分別經(jīng)過六甲基二硅胺烷，3-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷以及苯基三氯硅烷處理