高密度等離子體刻蝕輪廓的數(shù)值研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、低氣壓、高密度等離子體刻蝕的模擬對于高密度等離子體刻蝕的工藝研究具有重要意義.該論文深入研究了低氣壓、同密度等離子體的工作機理及其刻蝕工藝的原理,合理的舍取了影響等離子體特性和刻蝕特性的參數(shù),提出了一個二維低氣壓、高密度等離子體刻蝕輪廓的理論模型,并利用"線"算法進行了數(shù)值模擬.分析了不同的中性流與離子流通量之比Г<,n0>/Г<,i0>和不同的鞘層電壓與離子溫度之比eV<,S>/kT<,i>對刻蝕輪廓的影響.模型中引入了掩膜對入射粒子

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