一種新型邊預(yù)擊穿抑制雪崩光電二極管的研究.pdf

1、本文利用一種電路模型分析了傳統(tǒng)的SGACM-APD 頻響特性，然后對(duì)我們依據(jù)暗電流和頻響特性考慮設(shè)計(jì)的雪崩光電二極管的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，不僅沒有降低暗電流特性和頻響特性，同時(shí)在保證擊穿電壓只提升2V、工作增益達(dá)到8的情況下，完全抑制了邊緣提前擊穿特性。
　　 通過雪崩光電二極管的光電效應(yīng)，光照射在雪崩光電二極管上，在吸收區(qū)產(chǎn)生電子空穴對(duì)。然后在外加偏壓的驅(qū)動(dòng)下，進(jìn)入倍增層發(fā)生雪崩，形成光電流。本文主要分析的是SAGCM 結(jié)構(gòu)的InG

2、aAs/InP 材料雪崩光電二極管。本文在已有的電路模型基礎(chǔ)上，在ADS中進(jìn)行模擬仿真，分析雪崩光電二極管各個(gè)不同層厚度對(duì)頻響的影響，以及正面和底部光照射對(duì)于頻響的影響。然后討論了目前針對(duì)雪崩光電二極管存在的邊緣提前擊穿問題所使用的幾種結(jié)構(gòu)，并根據(jù)泊松方程，計(jì)算出雪崩光電二極管內(nèi)部電場(chǎng)方程，通過matlab模擬仿真出在不同電壓下的電場(chǎng)分布。同時(shí)根據(jù)仿真結(jié)果，提出了一種新的結(jié)構(gòu)，通過分析發(fā)現(xiàn)不僅對(duì)于帶寬沒有造成影響，同時(shí)邊緣擊穿特性也得到