提高LED外量子效率方法的研究.pdf

1、GaN基LED具有節(jié)能、壽命長、體積小等優(yōu)點，被視為下一代照明器件，受到人們廣泛的關注。由于LED芯片折射率與空氣折射率的巨大差別，使得光提取效率成為影響LED性能提高的最關鍵因素之一。因此，如何提高LED光提取效率成為近年來的研究熱點。
　　 本文通過對雙光柵結構氮化鎵基LED的理論研究和仿真實驗優(yōu)化研究，提高了氮化鎵基LED的外量子效率。作者對實驗方案做了理論分析，模擬了光線在氮化鎵基LED的傳播。采用蒙特卡羅方法、光線追跡

2、法和光柵衍射理論計算了氮化鎵基LED的光提取效率，通過數(shù)值計算模擬，計算不同的光柵槽深、周期及吸收系數(shù)對LED光提取效率的動態(tài)影響，得到了一些有益的研究結果：
　　 [1]當固定光柵周期，GaN材料吸收系數(shù)，僅變化光柵槽深時，光提取效率曲線隨槽深增大呈類似周期性余弦變化；當固定光柵槽深，GaN材料吸收系數(shù)，僅變化光柵周期時，周期的最理想的尺寸應該與光在GaN或ITO中的波長相比擬；傳統(tǒng)平板型GaN基LED光提取效率隨吸收系數(shù)增大