動態(tài)全息過程提高鉍硅族氧化物存儲信號的讀取精度.pdf

1、鉍硅族氧化物晶體是廣為利用的光折變材料，其響應時間很短，這種在可見光和紅外區(qū)具有高光折變靈敏度和快響應速度的性質(zhì)使得其在光學干涉儀、光存儲和光學信息處理等方面應用廣泛。在計算其二波耦合增益時，受矢量波耦合、旋光效應、彈光效應和壓電效應的影響，無法對微分方程組求得精確的分析解表達式。在以往的一些研究中，往往不考慮矢量波耦合或旋光效應、彈光效應對二波耦合增益的影響，從而得到近似的分析解，其在不同的光學配置下所求出的能量增益值與實驗數(shù)據(jù)之間有

2、一定的差異。 本文在漂移機制下，考慮了鉍硅族氧化物中二波耦合過程的矢量波耦合、電光效應、旋光效應、彈光效應、壓電效應，并使用張量運算的方法得到了較高精度的近似解，求解出了信號光增益與晶體厚度、光柵取向、初始入射光偏振方向及外加電場強度之間的關系。 本文還求解了二波耦合方程組的數(shù)值解，利用它可以求出任意光學配置下的信號光增益，用于對分析法的精確性進行驗證。最后分別在BTO和BSO晶體的幾種不同光學配置下對分析法與數(shù)值法中影