光纖光柵相位掩模的設(shè)計及其制作.pdf

1、本文圍繞光纖光柵相位掩模的特點(diǎn)和制作展開了理論和實(shí)驗(yàn)研究，主要包含了以下幾方面的內(nèi)容： 首先介紹了研究光纖光柵相位掩模的意義和國內(nèi)外光纖光柵相位掩模的研究進(jìn)展，并且討論了離子束刻蝕對于掩模制作的重要意義，介紹了離子束刻蝕的國內(nèi)外研究現(xiàn)況。 根據(jù)光纖光柵掩模的不同要求，研究討論了用全息干涉方法制作線性啁啾位相掩模的設(shè)計方法，提出用兩球面波干涉產(chǎn)生條紋密度隨空間距離線性變化的干涉條紋記錄啁啾位相光柵，分析比較了文中給出的兩種

2、設(shè)計方案，給出了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果，并且制作了線性啁啾光刻膠掩模。 利用嚴(yán)格耦合波理論對光纖光柵相位掩模的衍射效率問題進(jìn)行了深入研究，以達(dá)到指導(dǎo)光纖光柵相位掩模實(shí)際制作的目的，并且研究了啁啾掩模的衍射效率問題，為線性啁啾光刻膠掩模的離子束刻蝕提出了要求。 綜合敘述了離子束刻蝕技術(shù)和離子源的工作原理，簡單介紹了離子束刻蝕的分類，闡述了離子束刻蝕的物理濺射效應(yīng)導(dǎo)致的刻面，開槽，再沉積等現(xiàn)象的產(chǎn)生機(jī)理及解決辦法，分析了Kaufman

3、離子源進(jìn)行RIBE的可行性及出現(xiàn)的問題。深入研究了光刻膠、鉻薄膜、石英等光學(xué)材料離子束刻蝕特性，分別以Ar氣和CHF3為工作氣體，研究光刻膠、鉻薄膜、石英等的刻蝕速率隨離子能量，束流密度和離子入射角度的變化關(guān)系，得到刻蝕速率與影響因素的擬合方程，為掩模的制作工藝路線提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)和理論指導(dǎo)。 用線段運(yùn)動法建立了離子束刻蝕微米結(jié)構(gòu)的圖形演化模擬程序，并且用實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了Ar氣和CHF3為工作氣體時刻蝕的演化情況。表明陡直光刻膠掩模和抑