超精密磨削硅片表層損傷檢測的試驗研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、硅片表面的完整性是影響集成電路(IC)器件的性能、成品率以及壽命的重要因素，隨著硅片直徑的增大和IC線寬的減小，對硅片表層質(zhì)量的要求日益增高。雖然硅片自旋轉(zhuǎn)磨削被認為是目前加工大尺寸硅片最理想的超精密磨削方法，并已得到廣泛的應(yīng)用，但是在目前的技術(shù)條件下還不可避免地會給硅片帶來表面/亞表面損傷，這個損傷層會直接影響下一道拋光工序的加工時間。但目前對此類損傷的產(chǎn)生機理、分析檢測以及損傷層厚度的預(yù)測與控制等方面的研究還不夠完善，難以實現(xiàn)大尺寸

2、硅片的低損傷、高效率磨削。 本文首先在綜合對比分析現(xiàn)有的硬脆材料表面/亞表面損傷檢測方法的基礎(chǔ)上，通過大量的試驗以及對一些檢測方法的優(yōu)化組合與改進等措施，得到了適用于檢測硅片表面/亞表面損傷的具體方法，并針對不同損傷程度的硅片對檢測技術(shù)的不同要求，建立了一套適用于不同損傷程度硅片的檢測方法。在此基礎(chǔ)上，通過在磨削硅片上有選擇地取樣，研究了磨削硅片亞表面損傷構(gòu)形與表面磨紋方向之間的關(guān)系；通過設(shè)計和采用合理的檢測試驗方法，研究了采用

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