拋光墊特性及其對化學機械拋光效果影響的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)制造技術的發(fā)展,作為襯底材料硅片的尺寸越來越大,特征尺寸越來越小,對硅襯底拋光片拋光質量的要求也越來越高.雖然目前化學機械拋光(CMP)技術廣泛應用于硅襯底拋光和多層布線中的層間平坦化加工中,但在實際生產過程中仍存在拋光效率低、加工質量重復性差、成品率低等問題,因此應針對影響CMP過程的因素及其對拋光效果的影響規(guī)律進行深入研究.拋光墊作為CMP系統(tǒng)的重要組成部分,其性能直接影響CMP過程及拋光效果.本文首

2、先在根據拋光墊特性參數(shù)的各自不同特點,確定了可行的檢測方案,并對厚度、密度、硬度、壓縮比、回彈率、孔隙率、溝槽、表面粗糙度以及拋光液的承載能力等影響拋光墊性能的主要特性參數(shù)進行了檢測和評價,為研究拋光墊特性與拋光效果之間的關系提供了基本數(shù)據.在此基礎上,以CP-4型桌面式CMP試驗臺為平臺采用正交實驗法,確定了拋光壓力、拋光盤轉速、拋光液流量、拋光頭的擺動幅度及拋光頭的擺動速度等工藝參數(shù)的最佳范圍,并通過單因素實驗法研究了這些工藝參數(shù)對

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