小規(guī)模CMOS集成電路可靠性快速評價新方法的研究.pdf

1、CMOS集成電路由于自身的優(yōu)秀的性能，已經(jīng)廣泛的應(yīng)用在各個領(lǐng)域，伴隨著電子產(chǎn)品功能的不斷增強，集成電路復(fù)雜程度的逐步提高，其質(zhì)量和可靠性也成為人們普遍關(guān)注的焦點。本課題對CMOS集成電路可靠性評價技術(shù)進行了探索，改進了一種評價方法—恒定電應(yīng)力的溫度斜坡法，并在理論和試驗上對其進行了較為系統(tǒng)的研究。 首先，建立在著名的Arrhenius方程等模型基礎(chǔ)上的溫度斜坡法，提出了提取失效激活能和外推壽命的新模型。對比常規(guī)方法需要建立壽命特

2、征與應(yīng)力水平之間的關(guān)系，新模型通過直接建立器件失效敏感參數(shù)退化率與應(yīng)力水平之間的關(guān)系，就可以由單支樣品的數(shù)據(jù)，提取器件某一參數(shù)退化所對應(yīng)的激活能，并外推其正常使用條件下的壽命。 其次，針對CMOS集成電路，對溫度斜坡法加速壽命試驗進行了改進，優(yōu)化了升溫速率，確定了結(jié)溫。采用序進溫度應(yīng)力和恒定電壓應(yīng)力同時作用的多應(yīng)力加速試驗方法，加快了器件內(nèi)部的物理化學(xué)反應(yīng)，相應(yīng)地縮短了試驗時間。最后，通過具體試驗對溫度斜坡法理論進行了檢驗。采用