基于EDG的InP單片集成光信號收發(fā)器件的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著光纖通信及其業(yè)務(wù)的發(fā)展，系統(tǒng)容量的要求日益提高。波分復(fù)用技術(shù)(WDM)可以很方便地提升已鋪設(shè)光纖的容量，因而倍受重視。作為波分復(fù)用主干網(wǎng)的核心器件AWG，自從80年代末提出以來，各國研究人員對其的研究熱情一直持續(xù)至今。AWG的性能影響著整個系統(tǒng)的性能，改善AWG性能則有利于網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)性能的提高和成本的降低。綜述WDM的主要技術(shù)及典型器件后發(fā)現(xiàn)要發(fā)展WDM技術(shù)，研發(fā)高性能、低成本的波分復(fù)用／解復(fù)用器件，硅基二氧化硅陣列波導(dǎo)光柵器件是非常

2、好的選擇。
　　 因此本論文從硅基二氧化硅AWG出發(fā)，主要完成了以下幾個方面的工作：
　　 首先敘述了陣列波導(dǎo)光柵的基本原理與公式，然后介紹了AWG主要性能指標及其估算方法，和AWG器件的整體設(shè)計過程。
　　 接著研究了硅基二氧化硅集成光波導(dǎo)器件的制作工藝，得到了比較合理的工藝條件，為成功實現(xiàn)基于平面光波導(dǎo)工藝的器件奠定基礎(chǔ)。
　　 然后針對現(xiàn)有平面光波導(dǎo)工藝制作的問題，提出一個全新的上包層硼鍺共摻的制作

3、工藝。不僅解決了現(xiàn)有工藝填充波導(dǎo)空隙困難的問題，而且具備增強光敏感性等潛在優(yōu)勢，具有制作簡單、成本低等優(yōu)點，有可能成為BPSG的替代工藝。
　　 最后將上包層硼鍺共摻的工藝應(yīng)用于兩個實際例子的制作，分別是cross-order型AWG-Triplexer和16通道的Polarization-Compensation AWG。先是對cross-order型AWG-Triplexer設(shè)計原理進行了詳細介紹及進一步改進優(yōu)化，并利用上包

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