氧化鋅陶瓷靶材的制備.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO（Zinc Oxide）是II-VI 族具有纖鋅礦結構的直接帶隙半導體材料，晶體類型為六角柱結構。ZnO 禁帶寬度為3.34eV，在氫等離子體中具有很高的穩(wěn)定性，而且Zn 儲量豐富、無毒，具有適宜的光電特性，是極具競爭力的透明導電膜材料。 本文以ZnO 粉末和Al2O3 粉末為主要原料，以常壓、空氣氣氛燒結為手段制備透明導電膜用ZnO 陶瓷靶材。系統研究了粉末成型壓力、Al2O3 摻雜量、Al 摻雜量、燒結工藝等因素對Zn

2、O 陶瓷靶材電學、物理性能以及顯微形貌的影響規(guī)律。研究結果表明： 1、粉末成型壓力為3MP 時，靶材電學性能最佳； 2、當Al:Zn 原子比為4.0:100 時，ZnO 的電阻率最低，達4.1×10－3 ? ·㎝，當Al 摻雜量超過某一數值后，Al 不再以替位離子形式存在，而是與周圍的Zn、O 原子共同作用，生成鋅鋁尖晶石相，從而導致材料的電阻率升高。 3、在1350℃時，表面形貌上靶材表面晶粒間結合的致密。從斷

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