諧振隧穿二極管（RTD）及其集成技術(shù)的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該文介紹了一種納米電子器件:諧振隧穿二極管(RTD),它是一種新型GaAs襯底二端口器件,具有高速和雙穩(wěn)態(tài)兩大特性.該文詳細(xì)介紹了諧振隧穿二極管的工作原理及其設(shè)計(jì).我們?cè)诶碚撋蠈?duì)雙壘單阱結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,詳細(xì)討論了超晶格層對(duì)器件特性的影響,并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行設(shè)計(jì),制作和測(cè)試,并對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行了分析.主要的研究成果如下:1.設(shè)計(jì)研制出具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平的諧振隧穿二極管,具有較高的電流峰谷比(PVCR),室溫達(dá)到7.6:1;較好的頻率特性,最高振

2、蕩頻率為54GHz.2.測(cè)試并分析了RTD的直流特性、雙穩(wěn)態(tài)特性和電路特性.3.采用器件模擬軟件"SILVACO"中的模擬程序"ATLAS"對(duì)諧振隧穿二極管進(jìn)行了器件模擬,模擬了其直流特性,能帶結(jié)構(gòu),模擬分析了勢(shì)壘寬度、勢(shì)阱寬度、勢(shì)壘高度和摻雜濃度對(duì)其直流特性的影響.4.設(shè)計(jì)出由諧振隧穿二極管(RTD)和高電子遷移率晶體管(HEMT)構(gòu)成的靜態(tài)分頻器.并采用SILVACO軟件對(duì)其中的HEMT進(jìn)行了器件模擬,模擬結(jié)果顯示出HEMT的設(shè)計(jì)是

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