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認(rèn)證信息
認(rèn)證類型:個(gè)人認(rèn)證
認(rèn)證主體:常**(實(shí)名認(rèn)證)
IP屬地:河北
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1、隨著人類社會(huì)日新月異的發(fā)展,人們對(duì)能源的需求越來(lái)越大。由于能源危機(jī)的出現(xiàn),人們開始發(fā)現(xiàn)可再生能源的重要性。太陽(yáng)能作為可再生能源的重要組成部分且具有純凈無(wú)污染的特性而越來(lái)越受人們的關(guān)注。在硅太陽(yáng)能電池成本高居不下的時(shí)候,CIS 薄膜太陽(yáng)能電池由于具有高轉(zhuǎn)換效率、低制造成本以及穩(wěn)定的性能從而得到了很大的發(fā)展。 CdS作為CIS 薄膜太陽(yáng)能電池的緩沖層對(duì)太陽(yáng)能電池的整體性能有著相當(dāng)重要的作用。本文主要做了如下方面的研究工作:
2、r> 對(duì)CIS 薄膜太陽(yáng)能電池緩沖層CdS的傳統(tǒng)制備工藝作了說(shuō)明。對(duì)原料的配比,燒結(jié)等前端工藝進(jìn)行了大量實(shí)驗(yàn),分析了其對(duì)薄膜光敏性、耐壓性的影響。 本文嘗試采用離子輔助鍍膜工藝(IAD)來(lái)制備CdS 緩沖層,使用正交實(shí)驗(yàn)法分析薄膜制備中的工藝參數(shù)(基片溫度、蒸發(fā)速率、離子束流密度和屏極電壓)對(duì)薄膜表面、電阻率和帶隙的影響,確定了最佳的離子輔助鍍膜(IAD)工藝參數(shù),分析了離子輔助鍍膜工藝(IAD)對(duì)緩沖層CdS的優(yōu)缺
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