Co-Cu-Co結構中納米氮化物（NNL）界面摻雜研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在過去的二，三十年間，隨著金屬多層膜和顆粒膜的巨磁電阻（GMR）的發(fā)現，以研究、利用和控制電子自旋極化及其輸運過程為核心的自旋電子學得到很大的發(fā)展，同時用磁電阻材料制備自旋電子學器件也取得了驚人的進步，所有這些為后續(xù)的、更深入的信息存儲領域的開發(fā)與研究奠定了堅實的基礎。 傳統(tǒng)的Co/Cu/Co自旋閥或者Co/Cu多層膜結構具有較大的磁電阻，但是其飽和場（或開關場）太大，影響其實際應用，為此，我們嘗試使用納米氮化層進行界面調制或剪

2、裁，以期獲得好的磁電阻特性。我們在實驗上發(fā)現，當NNL在下界面(Co/Cu)摻雜時，得到了一個數值為-0.043％的反常磁電阻；當NNL在上界面(Cu/Co)摻雜時，磁電阻近似為0；當NNL同時在上、下界面摻雜時，也可得到的反常磁電阻（-0.005％），實驗上獲得的這些反常磁電阻數值和Rahmouni等[1]在Co/Ru/Co及其摻雜體系中發(fā)現的反常磁電阻數值相當。 為了從理論上進一步證實這一結果，我們用Camley-Barnas的玻爾

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