化學浴沉積ZnS薄膜及其機理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnS薄膜廣泛應用于各種光電器件。ZnS是一種很好的電致發(fā)光照明材料，商業(yè)上用來制作電致發(fā)光顯示器，也用于薄膜異質結太陽能電池中作n型窗口層。ZnS薄膜的生長方法有化學浴沉積、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、濺射、噴霧熱解以及最近發(fā)展起來的脈沖激光沉積。這種材料在太陽能電池中需求量很大，急需一種低成本的生長技術以降低最終產(chǎn)品的價格成本。因此，能在低溫條件下低成本地大面積沉積優(yōu)質半導體薄膜的化學浴沉積法成為較合適的技術之一。
　　 本文是教育

2、部高等學校博士點學科專項基金資助項目“寬帶隙II-VI半導體納米薄膜材料的濕化學合成及性能表征(編號：20050487034）”的重要組成部分。實驗采用硫酸鋅、硫脲、水合肼和氨水混合溶液于適當溫度下在玻璃襯底上沉積得到表面均勻的ZnS薄膜。通過控制各反應參數(shù)，可制得厚度從幾nm至200nm變化的薄膜。
　　 采用X射線衍射(XRD)來測試薄膜的微觀結；采用雙光束分光光度計(UV-VIS-NIR)來測試薄膜的光學性質；用橢偏儀測量

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