強流氧離子注入機高溫旋轉掃描靶的研究.pdf

1、SOI(Silicon On Insulator)是指絕緣材料上的硅，它能突破體硅及其集成電路的限制，在超大規(guī)模集成電路、光電子等領域有著廣闊的應用前景。被國際上公認為是“二十一世紀的硅集成電路技術”。其中SIMOX（separation by implanted oxygen，注氧隔離）就是重要的實際應用的SOI制備技術，這種技術的關鍵就是需要用強流氧離子注入機將氧離子注入到晶片中形成二氧化硅作為絕緣層。用于SIMOX的強流氧離子注入

2、機需要保證大束流、高溫、均勻、低污染注入。而高溫旋轉掃描靶正是達到這種注入要求的關鍵部件之一。
　　 本文以中國科技集團公司研制的大束流專用強流氧離子注入機的高溫旋轉掃描靶為研究對象，結合參數(shù)化特征建模技術和虛擬樣機技術，對高溫旋轉掃描靶的建模和仿真做了探索性的研究。
　　 本文在充分研究了高溫旋轉掃描靶的設計要求和理論（包括高真空環(huán)境下的輔助加熱裝置的研究、批注入式全機械掃描和先進磁掃描技術的研究）以及參考國外的高溫靶

3、之后，使用三維高端CAD/CAM/CAE軟件UG建立高溫旋轉掃描靶的三維實體模型，應用UG/Motion模塊及機械系統(tǒng)運動學/動力學仿真分析軟件ADAMS建立高溫靶的虛擬樣機模型，并進行運動學仿真分析，根據(jù)仿真結果和理論計算結果的比較和分析，驗證了所建虛擬樣機模型的正確性，得到高溫旋轉掃描靶的運動規(guī)律，并找到實現(xiàn)均勻注入的速度曲線。
　　 由于虛擬樣機技術產(chǎn)生較晚，國際上目前只有在汽車、航空制造領域有較為成熟的應用，在其它領域的