CoP-Insulator-BeCu復合結構絲的制備及其巨磁阻抗效應研究.pdf

1、本文采用化學鍍工藝制備了常規(guī)型和LC共振型兩種CoP/Insulator/BeCu巨磁阻抗復合結構絲，利用鍍速測量、阻抗分析法、復數(shù)磁導率、簡化等效電路模型等研究了工藝條件、幾何結構、后處理工藝對材料的GMI數(shù)值、GMI特性和GMI磁場靈敏度的影響，主要內容和結果如下: 1.絕緣層上化學鍍CoP的最佳鍍液配方為還原劑和主鹽的摩爾比I=x(H2PO2-):x(Co2+)=8.0，x(復合絡合劑)=0.5 mol/L，x(NH4)2

2、SO4)=0.25mol/L，pH=9.0，水浴溫度90℃，施鍍時間3 h。 2.常規(guī)型CoP/Insulator/BeCu復合結構絲經二次焦耳熱處理，GMI和磁場靈敏度分別從制備態(tài)的179％和0.56％/A·m-1提高到991％和2.78％/A·m-1，二次焦耳熱處理工藝是顯著提高GMI數(shù)值、GMI的頻率應用范圍和磁場靈敏度的有效方法。 3.LC共振型復合結構絲在共振點頻率的GMI和磁場靈敏度為487.5％和0.46％