大型硅片內微區(qū)薄層電阻均勻性測試技術研究.pdf

1、隨著科學技術的飛速發(fā)展，集成電路和軟件早已經成為信息社會經濟發(fā)展的基石和核心，其中集成電路是最能體現(xiàn)知識經濟特征的典型產品之一。目前,以集成電路為基礎的電子信息產業(yè)已成為世界第一大產業(yè),芯片制造技術上采用了更大尺寸的硅晶片(300mm) ；采用銅線互連技術替代鋁線技術，進一步縮小芯片內部特征尺寸(采用90 nm 甚至65 nm 的制造技術)。這樣人們對晶體的完美性，電特性就提出更為嚴格的要求，特別是微區(qū)的電特性及其均勻性更引起人們的關注

2、，微區(qū)電阻率的測試已經成為芯片加工之中的重要工序。為了更好的保證芯片的生產質量和最終產品的性能，需要深入開展四探針測試技術研究，運用可靠的測試手段，對器件性能做出準確無誤的判斷。為此，本文開展了以下研究工作： 綜述了四探針技術的分類以及應用范圍；對方形四探針測試技術進行了研究，利用Rymaszewski 法自動消除探針縱向游移影響的優(yōu)點，將它應用于方形探針測試法中，并就四探針技術的優(yōu)缺點進行分析，然后在孫以材教授課題組研制的四探

3、針測試儀的基礎上對其做了進一步改進。在分析四探針技術的弊端的基礎上創(chuàng)造性的提出將電阻抗成像技術應用于微區(qū)薄層電阻的測試中。 本課題主要完成工作如下： 1．對孫以材教授課題組研制的四探針自動測試儀提出了改進措施，重點對恒流源做了進一步改進設計。 2．就電阻抗成像技術（electrical impedance tomography，簡稱EIT）做了進一步的研究，對其正問題，有限元剖分，逆問題，線性反投影等應用于大型硅