?；撬徜\對染汞大鼠神經元及學習記憶能力的保護作用.pdf

1、目的 汞是強神經毒物，?；撬岷弯\對腦發(fā)育有重要調節(jié)作用。本實驗通過觀測補充?；撬徜\(TZC)對染Hg大鼠皮層和海馬一氧化氮合酶(NOS)活力、神經元型一氧化氮合酶(nNOS)蛋白和基因表達的影響，以及觀察在體外培養(yǎng)皮層神經元時，TZC對染Hg大鼠神經元生長活力及突起長度的影響，研究TZC拮抗Hg對神經系統(tǒng)損害的機理。 方法 選用雄性健康(出生后21d)Wistar大鼠60只，體重(200±20)g，隨機分為對照組、染汞組、汞

2、低牛磺酸鋅組和汞高?；撬徜\組；分別飲用蒸餾水，4.3mg/kg·dHgCl2飲水，4.3mg/kg·dHgCl2飲水和0.23g/LTZC飲水，4.3mg/kg·dHgCl2飲水和0.46g/LTZC飲水，每組15只大鼠。喂養(yǎng)75天時，用Y-迷宮實驗測試大鼠學習記憶能力；喂養(yǎng)90天時，用NADPH-d組織化學、nNOS免疫組織化學方法分別測定大鼠海馬NOS活力、nNOS蛋白和基因表達。成年雄性健康昆明系小鼠20只，體重(20±2.0)g

3、，隨機分為對照組、小劑量氯化汞組、更小劑量氯化汞組和小劑量氯化汞+?；撬徜\組；每組5只，隔天一次對小鼠進行腹腔注射HgCl2(0.1mg/mL,0.05mg/mL)，按10ml/kg體重注射；4小時后注射等劑量的TZC(100mg/mL)。10天后取小鼠腦組織，用RT-PCR測定nNOS的基因表達水平。 通過建立皮層神經元原代培養(yǎng)實驗技術，觀察不同濃度TZC(0.25×10-3mg/ml、0.5×10-3mg/ml、1.0×10

4、-3mg/ml、2.0×10-3mg/ml、4.0×10-3mg/ml)和不同劑量HgCl2(8×10-6mg/ml、8×10-5mg/ml、8×10-4mg/ml、8×10-3mg/ml、8×10-2mg/ml)對培養(yǎng)皮層神經元生長活力及突起長度的影響。 結果 1.行為學測試結果染汞75天后，與對照組大鼠相比，單純染汞組大鼠Y-迷宮實驗學會次數明顯增多(P＜0.05)。與單純染汞組相比，給予高TZC干預的染汞組大鼠Y-迷宮實

5、驗學會次數明顯減少(P＜0.05)。 32.NADPH-d組織化學和nNOS免疫組織化學實驗結果染汞90天后，與對照組相比，單純染汞組大鼠海馬結構CA1區(qū)、CA3和齒狀回的NADPH-d和nNOS陽性神經元數量都明顯增加(P＜0.05)，陽性神經元染色強度變弱，神經纖維變短。給予高TZC干預的染汞組實驗大鼠皮層和海馬結構CA1區(qū)、CA3、齒狀回的NADPH-d和nNOS陽性神經元數量有明顯減少(P＜0.05)，陽性神經元染色強度

6、增強，神經纖維增長。 3.RT-PCR結果染汞10天后，小劑量氯化汞組電泳條帶最亮，吸光度值最高，與對照組相比，其nNOSmRNA表達的相對含量明顯增多，差異有顯著性(P＜0.05)；TZC組電泳條帶相對較亮，吸光度值較高，與小劑量氯化汞組比較，其nNOSmRNA表達的相對含量相對減少，差異有顯著性(P＜0.05)；而小劑量氯化汞組比更小劑量氯化汞組小鼠鼠nNOSmRNA表達的相對含量有減少趨勢，但差異無顯著性(P＞0.05)。

7、 4.皮層神經元培養(yǎng)實驗結果終濃度為8×10-6mg/ml的氯化汞就能導致培養(yǎng)皮層神經元生長活力下降，突起長度變短(P＜0.05)。隨著氯化汞終濃度的增加，對培養(yǎng)皮層神經元的損傷作用增強。終濃度為0.5×10-3mg/ml的TZC即可促進培養(yǎng)皮層神經元生長活力增加，促進其突起生長(P＜0.05)，當TZC終濃度達到1.0×10-3mg/ml時，其促進培養(yǎng)皮層神經元生長活力和突起生長的作用達到最大，如果TZC終濃度繼續(xù)加大到2.0