鈦系氧化物納米晶薄膜的制備及其光電性能研究.pdf

1、哈爾濱工程大學(xué)碩士學(xué)位論文鈦系氧化物納米晶薄膜的制備及其光電性能研究姓名：馬瑩申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：應(yīng)用化學(xué)指導(dǎo)教師：李占雙20060615晗爾濱工程大學(xué)碩士學(xué)位論文■■■—■■——■———■—■■■■■——一I1■■●————■●—■—■■■■●———■—黼黼■■■__——瞄—黼黼■■—___■一在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)內(nèi)對(duì)光均肖吸收。光電化學(xué)性能測(cè)試結(jié)果表明，當(dāng)“的摻雜鱉x=06時(shí)，Pbl。Li；曩僥薄貘開(kāi)路電囂薅這688mV，填充囂孑裹達(dá)

2、8。74，其光電性能比傳統(tǒng)的TiO：薄膜有大幅度鍵高。用溶膠一凝膠法制備了鈦酸鉛鑭摻雜體系的PbLa。Ti03薄膜，XRD測(cè)試表明，Pbl。LaxTiO，薄貘墨立方捐晶型，基疆著La3十燕子摻雜量豹增攘，形成穩(wěn)定鈣鈦礦晶體需要的僚燒溫度升高。其光電馥學(xué)後能隨摻雜比例的不同雨變化較大。當(dāng)摻雜比例x=04和O8時(shí)，其開(kāi)路電壓V。分別為360mV和376mV，高于摻雜比例x=02和06的PblxLaTi03薄膜。摻雜比例x=06的鶼xL瓠弧0