損耗在波導環(huán)腔全光開關中的作用和影響.pdf

1、為了解決目前通訊網(wǎng)絡中電子開關對網(wǎng)絡容量升級的瓶頸限制，人們開始廣泛研究光開關。較早研發(fā)的電控光開關目前已有商用產(chǎn)品，但是這類開關不能滿足未來全光網(wǎng)絡的要求，因此光控光開關，即全光開關，始終是人們研究的重點。阻礙全光開關發(fā)展最主要的一個因素是開關功率太高，Heebner等人提議在M—Z干涉儀的一臂連接一個環(huán)形共振腔，這樣可以大大降低開關功率，環(huán)形共振腔也被廣泛研究。本文詳細研究了損耗對幾種環(huán)形共振腔全光開關的影響。因為共振時環(huán)腔內(nèi)的能量

2、非常大，所以即使非常小的損耗對環(huán)腔性質(zhì)的影響也很大。
　　本文用迭代法計算了單耦合器環(huán)腔各部分場強與輸入場強的關系，達到平衡后的結果與其他方法計算的一樣，不過這樣可以了解沒有達到平衡時各部分場強的分布情況。另外，達到平衡所需時間的長短可以反映開關時間的長短。文中計算了損耗對單耦合器環(huán)腔的影響，不考慮單耦合器環(huán)腔只可以產(chǎn)生相移，損耗可以使其實現(xiàn)11×開關。將理論計算的結果與Lipson等人的實驗結果比較，二者吻合的非常好。