硫酸鎂對放射性腦損傷大鼠海馬c-fos基因表達及學習記憶影響的研究.pdf

1、為了研究Mg2+對放射性腦損傷大鼠海馬c-fos基因表達及學習記憶能力的影響，探討Mg2+對放射性腦損傷的神經(jīng)保護作用及其機制，本實驗將SD大鼠隨機分為實驗組、實驗對照組和空白對照組。實驗組用5MeV電子線20 Gy全腦單次垂直照射建立大鼠放射性腦損傷模型，以照射后30 d內(nèi)大鼠照射區(qū)皮膚褪毛、神經(jīng)系統(tǒng)體征及海馬病理切片為模型評價指標；分別于照射前1 d，前30 min，照射后即刻給與10％MgSO4(400 mg-kg -1)緩慢腹腔

2、注射，照射后2 h用免疫熒光法檢測海馬c-fos基因表達；大鼠隨機在照射后7 d、14 d、28 d處死，處死前3 d進行Y迷宮學習，處死當天進行Y迷宮記憶測試，測試后2 h處死動物并用免疫熒光法檢測海馬c-fos基因表達乙實驗對照組用等量生理鹽水(normalsaline NS)代替MgSO4用藥，空白對照組以假照射代替照射。 結(jié)果顯示：(1)大鼠頭部受照射區(qū)域皮膚有準確的脫毛范圍；病理切片可見海馬齒狀回神經(jīng)元排列稀疏，齒狀回

3、境界不清；(2)實驗對照組海馬Fos蛋白水平較空白對照組明顯升高(P<0.01)，但MgSO4干預的實驗組海馬Fos蛋白表達明顯下降(P<0.01)；(3)實驗組大鼠28 d的Y迷宮學習記憶測試成績明顯優(yōu)于實驗對照組(P<0.01)，學習記憶測試后Fos蛋白陽性細胞數(shù)也明顯增多(P<0.01)。但7 d、14 d實驗組大鼠的學習記憶測試成績及測試后的Fos蛋白表達與實驗對照組大鼠相比無明顯差別。 結(jié)果提示：(1)放射性腦損傷大鼠