單晶硅反應激波刻蝕試驗研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、南京航空航天大學碩士學位論文單晶硅反應激波刻蝕試驗研究姓名：溫軍戰(zhàn)申請學位級別：碩士專業(yè)：機械制造及其自動化指導教師：汪煒20080301單晶激波刻蝕試驗研究IIAbstractThetheeticalexperimentalresearchshowsthattheshockwaveisproducedwhenthesoundwavewithlimitedamplitudepropagatesshtpulseintheliquidarr

2、ivesatsurfaceofmaterials.Theshockwavehastheacteristicsofhighenergyinstantaneousgreatpressure.Reactiveshockwaveetchingwhichisbasedonthefocusedofpulseultrasoundtechnologyispresented.Duetothenonlinearpropagationeffectsthehi

3、ghenergytransientpressurewaveisintroducedbyashockwavegeneratproducingthefocusedofpulseultrasound(1MHzso).Combinedwithwetetchingprocessthematerialinfocusedzonecanbeetchedquicklybyphysicalchemicalprocess.Detailsareasfollow

4、s:1.Accdingtothestructureacteristicofmonocrystallinesiliconreactiveshockwaveetchingofmonocrystallinesiliconisresearched.Sonochemistrydynamicsofetchingareanalyzed.2.Onthebasisofsystemprincipletheexperimentsystemisdevelope

5、d.Thegeneratthepowertheetchingratearetested.Thefocusareaofpulsedultrasoundismeasured.Theregionalsizeofthefocusareaisanalyzed.Theimpactofshockwavefrequencyonthebiggestpressurefocalplaneisanalyzedinthepaper.3.Themaskinglay

6、eretchingsolutionarechosefexperiments.Incomparisonwithultrasoundbathmagicstirringmethodsexperimentsshowthatshockwavecanreducesurfaceroughnessincreasetheetchratebyincreasingthemasstranspt.Furthermetheinfluenceofetchantcon

7、centrationstemperaturepowerofshockwavetheprincipleofreactiveshockwaveetchingofmonocrystallinesiliconarealsoanalyzedwhichisthefoundationfthefurthertheeticalexperimentalresearch.Keywds:Reactiveshockwaveetching，monocrystall

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