Czochralski法晶體生長(zhǎng)建模與控制研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文針對(duì)當(dāng)前Czochralski法晶體生長(zhǎng)研究集中在材料學(xué)領(lǐng)域,所建立的眾多晶體生長(zhǎng)過(guò)程工藝模型無(wú)法應(yīng)用于控制的現(xiàn)狀,嘗試從控制角度分析晶體生長(zhǎng)過(guò)程,建立晶體生長(zhǎng)過(guò)程的控制模型,并研究生長(zhǎng)過(guò)程的非線性動(dòng)態(tài)特性,嘗試建立先進(jìn)的智能PID控制結(jié)構(gòu),最后設(shè)計(jì)整個(gè)自動(dòng)控制系統(tǒng)的關(guān)鍵部分-高精度稱重電路。本文在Czochralski法晶體生長(zhǎng)機(jī)理的基礎(chǔ)上,分析了生長(zhǎng)過(guò)程的熱量傳遞,基于質(zhì)量/熱量守恒基本規(guī)律以及輻射形狀系數(shù)求解方法,在Gevel

2、ber晶體生長(zhǎng)過(guò)程基本模型的基礎(chǔ)上,建立了晶體生長(zhǎng)過(guò)程輻射增強(qiáng)模型;通過(guò)對(duì)生長(zhǎng)過(guò)程的簡(jiǎn)化,引入了venerus一維簡(jiǎn)化模型,從系統(tǒng)物理參數(shù)出發(fā),采用簡(jiǎn)單易行的擾動(dòng)法進(jìn)行數(shù)值模擬,研究了熔液溫度不變(變化),提拉速率變化(不變)下的等徑生長(zhǎng);針對(duì)目前工業(yè)晶體生長(zhǎng)PID參數(shù)人工經(jīng)驗(yàn)獲得,利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的非線性映射能力和具有高效的優(yōu)化組合能力的遺傳算法,設(shè)計(jì)了基于BP、RBF和遺傳算法PID參數(shù)整定控制結(jié)構(gòu);針對(duì)稱重環(huán)節(jié)是實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)自動(dòng)控制最

3、關(guān)鍵的部分,基于ADuC824數(shù)據(jù)采集芯片設(shè)計(jì)了高精度稱重電路。文中主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)包括引入了描述彎月面特征的LaPlace-Young方程,建立了生長(zhǎng)過(guò)程最典型特征-彎月面接觸角的狀態(tài)方程,研究了其與彎月面其它狀態(tài)變量的關(guān)系;建立了坩鍋內(nèi)液面以上密封區(qū)域的輻射換熱電網(wǎng)絡(luò)模擬圖,為求解系統(tǒng)各部分的熱量傳遞速率提供方便;研究了熔夜高度變化的動(dòng)態(tài)特性,得到了熔夜高度的穩(wěn)定平衡軌跡曲線;針對(duì)Gevelber提出的近似輻射形狀系數(shù)計(jì)算方法,從輻射形狀

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