多孔硅后處理發(fā)光性能的研究.pdf

1、摘要摘要多 孔硅在全硅光電 子集成有著潛在的 應(yīng) 用前景， 但是要將多 孔硅投入實(shí)際使 用，尚 有許多 工作要做， 其中 最重 要的問 題之一 就是 如何解決多 孔硅發(fā)光的不穩(wěn)定性。本文 研究了 不同 后處理對(duì)多 孔硅發(fā)光穩(wěn)定性的 影響。 采用電 化學(xué)陽(yáng)極腐蝕法制備了 不同 條件下的多 孔硅， 通過陰 極還原 和酸 處理兩 種處理方法對(duì)多孔硅表面 進(jìn)行改 性。 根 據(jù)P L 譜的 測(cè)試結(jié) 果討論分 析不同 的 條 件對(duì)多 孔硅發(fā)光的 影

2、響。借助原子力顯微鏡分析處理對(duì)樣品表面形貌和成分的 影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明 酸處理對(duì)提高多 孔硅的 發(fā)光 效率有顯著的 效果， 并 提出了 其可能的 作用機(jī)制. 論文著重對(duì)比了 不同 條件下 未處理與陰 極還原處理的多 孔硅樣品的 發(fā)光穩(wěn)定性。 在自 然存放下， 經(jīng)過陰 極 還原處 理的 多孔硅， 發(fā)光峰位 及發(fā)光 強(qiáng)度變化都很小，呈穩(wěn)定 狀態(tài)。 在自 然存放時(shí)間 長(zhǎng) 達(dá)一 年的 樣品， 對(duì)多 孔硅的雙峰現(xiàn)象進(jìn)行了P L 譜測(cè)試。 研究了

3、不同的激發(fā)波長(zhǎng)對(duì)長(zhǎng)波峰和短波峰的影響規(guī)律。在自 然存放的緩慢氧化過程中， 氧化過程對(duì)未處理的樣品影響強(qiáng)于陰極還原處理的 樣品， 對(duì)長(zhǎng)波峰的影響強(qiáng)于短波峰， 而隨著激發(fā)波長(zhǎng)的減小，短波峰的強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)。自 然存放的多孔硅， 在氧化到達(dá)到一定的 程度， 短波長(zhǎng)( 2 5 0 1 妞 n ) 激發(fā)多 孔硅樣品， 發(fā)光峰 位和強(qiáng) 度不 再改 變。 并綜合實(shí) 驗(yàn)結(jié) 果對(duì)多 孔硅的 發(fā)光機(jī)制進(jìn)行了 探討。關(guān)鍵詞:多孔硅;陰極還原;酸處理;發(fā)光機(jī)制學(xué)

4、位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明 所呈交的學(xué)位論文是 本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取 得的研究成果。 據(jù)我所知，除了文中 特別加以 標(biāo)注和致謝的 地方外，論文中 不包含 其 他 人 己 經(jīng) 發(fā) 表 或 撰 寫 過 的 研 究 成 果 ， 也 不 包 含 為 獲 得 j狂 鼓璧 色或 其 他 教 育 機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同 志對(duì)本研究所做的 任何 貢 獻(xiàn) 均已 在 論 文 中 作了 明 確的 說明

5、并 表示 謝 意。 ~學(xué) 位 論 文 作 者 簽 名 ( 手 寫 ) 乖 ‘ 簽 字 日 期 : 分 年 、 月 。學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本 學(xué) 位 論 文 作 者 完 全 了 解通遏大乞 有 關(guān) 保 留 、 使 用 學(xué) 位 論 文 的 規(guī) 定 ， 有權(quán)保留并向國(guó) 家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和 借 閱。 本 人 授 權(quán) 直星大堂可以 將 學(xué) 位 論 文的 全 部 或 部 分內(nèi) 容編 入 有關(guān) 數(shù) 據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索