氧化物半導體納米結構制備及其電子場發(fā)射特性研究.pdf

1、2006屆研究生博士學位論文y89659辱學校代碼：10269學號：YB03242004葶泉吁毿天擎氧化物半導體納米結構制備及其電子場發(fā)射特性研究院系：籃盅抖堂捷盔堂瞳魚王丕專業(yè)：玉線蟲塑理研究方向：坐昱佳撾料生墨住指導教師：基自強麴援博士研究生：韭丞勝2006年3月完成圖形化生長技術的應用之一，為寬禁帶半導體氧化物圖形化生長技術的應用提供了實驗基礎。3首次對硅襯底上生長Sn02納米結構圖形化陣列進行研究，借助催化劑的輔助，成功制備了葵

2、花形等結構陣列，單元結構完整，排列一致。直徑約為50um。場發(fā)射研究表明，開啟電場和閾值電場分別達到了26V／urrt、64V／um。4首次對玻璃襯底上生長圖形化ZnO納米結構進行研究，通過使用催化劑，成功制備了單元面積約為400x100um2的圖形化陣列，單元排列規(guī)則，分布均勻一致，場發(fā)射性能良好，為實現(xiàn)場發(fā)射平板顯示器的全玻璃封裝提供了實驗基礎。5通過襯底結構圖形化，在納米硅襯底上制備了ZnO納米結構陣列，方形單元面積約為10010

3、01t1512，間距約為30pm。納米線光滑，平均長度lOurrl以上，直徑約為200nto。分析了其生長機理。6研究了不同形貌納米ZnO和碳納米管在濕度傳感器中的應用，分析比較了它們所表現(xiàn)出的不同性質。通過對碳納米管進行后處理，使傳感器在敏感性、響應時間、穩(wěn)定性等方面的性質都得到了提高。對濕度傳感器的傳感機理作了分析和討論。7研究了納米ZnO和碳納米管復合結構的制備以及它們的場發(fā)射特性，結果表明，這種復合結構可以改善絲網印刷碳納米管膜